龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种低损耗4H‑SiC结势垒肖特基二极管，包括：衬底、叠加于衬底上的掺杂浓度自顶部至底部逐渐降低的4H‑SiC漂移层、叠加于4H‑SiC漂移层上的凸状阶梯沟道层、叠加于凸状阶梯沟道层的顶部表面的肖特基势垒调制层、凸状阶梯沟道层的阶梯部和肖特基势垒调制层的两侧通过离子注入形成的p+型电场掩蔽区、叠加于p+型电场掩蔽区和肖特基势垒调制层之上的肖特基接触层、叠加于肖特基接触层之上的阳极金属层、叠加于衬底之下的欧姆接触层和叠加于欧姆接触层之下的阴极金属层。本发明有效减小了因开启电压过低带来的反向漏电、减小了导通电阻，避免了高损耗的问题发生，使得二极管的功率耗散大大降低。
主权项：1.一种低损耗4H-SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；叠加于所述衬底上的4H-SiC漂移层；所述4H-SiC漂移层的掺杂浓度自顶部至底部逐渐降低；叠加于所述4H-SiC漂移层上的凸状阶梯沟道层；叠加于所述凸状阶梯沟道层的顶部表面的肖特基势垒调制层；所述凸状阶梯沟道层的阶梯部和所述肖特基势垒调制层的两侧通过离子注入形成有p+型电场掩蔽区；叠加于所述p+型电场掩蔽区和所述肖特基势垒调制层之上的肖特基接触层；叠加于所述肖特基接触层之上的阳极金属层；叠加于所述衬底之下的欧姆接触层；叠加于所述欧姆接触层之下的阴极金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 低损耗4H-SiC结势垒肖特基二极管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号