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申请/专利权人：安世有限公司
摘要：一种包括半导体主体的垂直取向的半导体器件，所述半导体器件具有第一主表面并且包括：衬底；设置在所述衬底上并具有第一电导率类型的第一区域，例如外延层，所述第一区域具有第一掺杂浓度；金属层，其设置在所述第一区域的顶部上，使得在所述第一区域和所述金属层之间提供肖特基结；至少两个横向隔开的岛状物，其从所述第一主表面向下延伸到所述半导体主体中，所述岛状物具有所述第二电导率类型，其中所述半导体器件进一步包括表面层，所述表面层设置在所述第一区域和所述金属层之间，并且横向设置在所述至少两个横向隔开的岛状物之间，其中所述表面层具有与所述第一电导率类型相反的第二电导率类型，所述表面层具有在所述第一掺杂浓度的5％‑20％范围内的第二掺杂浓度。
主权项：1.一种包括半导体主体的垂直取向的半导体器件，所述半导体器件具有第一主表面并且包括：-衬底；-设置在所述衬底上并具有第一电导率类型的第一区域，例如外延层，所述第一区域具有第一掺杂浓度；-金属层，其设置在所述第一区域的顶部上，使得在所述第一区域和所述金属层之间提供肖特基结；-至少两个横向隔开的岛状物，其从所述第一主表面向下延伸到所述半导体主体中，所述岛状物具有第二电导率类型，和进一步具有第二电导率类型的注入物，所述注入物的第二电导率类型的掺杂浓度比所述岛的所述第二电导率类型的掺杂浓度高；其中所述半导体器件进一步包括：-所述第一区域的表面层包括具有所述第二电导率类型的掺杂剂，所述所述第二电导率类型的掺杂剂的浓度在所述第一掺杂浓度的5％-20％的范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安世有限公司 垂直取向的半导体器件中的肖特基势垒控制以及相应的功率器件
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