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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院
摘要：本发明公开了一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层；i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与AlGaN层极化产生二维空穴气；阳极，位于层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层上、并延伸至开口中，与n‑‑GaN漂移层接触；阴极，位于n+‑GaN层上、且与n‑‑GaN漂移层间隔设置；钝化层，覆盖在阳极、p‑GaN层、i‑GaN层、AlGaN层、n‑‑GaN漂移层和阴极暴露的表面，钝化层包括第一开口和第二开口，第一开口暴露出所述阳极，第二开口暴露出阴极。本发明能够降低反向泄露电流，以及提高器件耐压。
主权项：1.一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+-GaN层、n--GaN漂移层、AlGaN层、i-GaN层和p-GaN层；其中，所述i-GaN层和p-GaN层组成的层叠结构与所述AlGaN层极化产生二维空穴气，层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层包括多个开口；沿垂直于所述衬底的方向，层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层的正投影包括多个第一区域，所述开口的正投影位于相邻所述第一区域之间；阳极，位于层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层上、并延伸至所述开口中，与所述n--GaN漂移层接触；阴极，位于所述n+-GaN层上、且与所述n--GaN漂移层间隔设置；钝化层，覆盖在所述阳极、所述p-GaN层、所述i-GaN层、所述AlGaN层、所述n--GaN漂移层和所述阴极暴露的表面，所述钝化层包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述阳极，所述第二开口暴露出所述阴极。
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权利要求：
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