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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学

摘要：本发明公开了一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层；i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与AlGaN层极化产生二维空穴气，层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层的正投影位于n‑‑GaN漂移层的正投影的第一区域，n‑‑GaN漂移层的正投影包括第一区域和第二区域；阳极，位于层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层上、并延伸至n‑‑GaN漂移层中；阳极的正投影与n‑‑GaN漂移层的正投影的第一区域和第二区域均交叠；阴极，位于n+‑GaN层上、且与n‑‑GaN漂移层间隔设置。本发明能够降低反向泄露电流，以及提高器件耐压。

主权项：1.一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+-GaN层、n--GaN漂移层、AlGaN层、i-GaN层和p-GaN层；其中，所述i-GaN层和所述p-GaN层组成的层叠结构与所述AlGaN层极化产生二维空穴气，沿垂直于所述衬底的方向，层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层的正投影位于所述n--GaN漂移层的正投影的第一区域，所述n--GaN漂移层的正投影包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕所述第二区域设置；阳极，位于层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层上、并延伸至所述n--GaN漂移层中；沿垂直于所述衬底的方向，所述阳极的正投影与所述n--GaN漂移层的正投影的第一区域和第二区域均交叠；阴极，位于所述n+-GaN层上、且与所述n--GaN漂移层间隔设置；钝化层，覆盖在所述阳极、所述p-GaN层、所述i-GaN层、所述AlGaN层、所述n--GaN漂移层和所述阴极暴露的表面，所述钝化层包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述阳极，所述第二开口暴露出所述阴极。

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