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申请/专利权人：东华理工大学
摘要：本发明涉及真空光电发射及应用技术领域，公开金属膜‑介质共振腔增强型负电子亲合势光电阴极及其制备方法，包括衬底、高反射率金属膜、介质共振腔、窗口层、半导体光电发射有源层和负电子亲和势激活层从下往上依次设置。选择晶圆作为衬底；在衬底上腐蚀阻挡层、光电发射有源层、窗口层和介质共振腔；生长高反射率金属层；准备晶圆键合衬底；将衬底外延片与晶圆键合衬底进行键合；将完成晶圆键合的样片放置于硝酸双氧水溶液；浸泡；去除腐蚀阻挡层；样品浸入混合溶液，冲洗，吹干，高温加热；进行铯氧激活；制备铯氧激活层。增强光吸收，实现高光吸收，改善光电阴极的光电发射量子效率和电子束品质，改善光电阴极的QE、响应速度等性能。
主权项：1.金属膜-介质共振腔增强型负电子亲合势光电阴极，包括衬底、高反射率金属膜、介质共振腔、窗口层、半导体光电发射有源层、负电子亲和势激活层，其特征在于：所述衬底、高反射率金属膜、介质共振腔、窗口层、半导体光电发射有源层和负电子亲和势激活层从下往上依次设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东华理工大学 金属膜-介质共振腔增强型负电子亲合势光电阴极及制备方法
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