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申请/专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆剥铝返工方法，包括以下步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括铝层，以及位于铝层下的硅层；通过干法对部分铝层进行干法铝腐蚀；通过干法对腐蚀后的半导体晶圆进行干法扫硅渣，并同时进行超声波流水擦片；对剩余部分的铝层进行湿法铝腐蚀；对湿法铝腐蚀后的半导体晶圆进行漂洗并用刷子流水擦片，若合格则进行铝溅射，若不合格则重新漂洗并用刷子流水擦片至到合格，本发明通过分段剥铝，结合干法扫硅渣，以及通过刷子流水擦片的方式，可以提高剥铝的效率，减少返工时间，可为产能提升与提升产品良率起到极大作用。
主权项：1.一种半导体晶圆剥铝返工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括铝层；S2：通过干法对部分铝层进行干法铝腐蚀；S3：通过干法对腐蚀后的半导体晶圆进行干法扫硅渣，扫硅渣后进行超声波流水擦片；S4：对剩余部分的铝层进行湿法铝腐蚀；S5：若铝层下为硅层，则对湿法铝腐蚀后的半导体晶圆进行漂洗并用刷子流水擦片，合格则进行铝溅射，不合格则重新漂洗并用刷子流水擦片至合格；若铝层下为阻挡层，则对湿法铝腐蚀后，再进行湿法扫硅渣，然后进行流水擦片，合格则进行铝溅射，不合格则重新流水擦片至合格。
全文数据：
权利要求：
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