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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及在一个或多个埋置多晶层上方的鳍式场效应晶体管，其揭示具有改变的结晶性的结构以及与形成此类结构相关的方法。一种半导体层具有包含多晶半导体材料、缺陷及惰性气体种类的原子的第一区域。在该半导体层的该第一区域上方设置多个鳍片。为形成该结构，可以惰性气体离子注入该半导体层，以改性在第一区域以及在该第一区域与该半导体层的顶部表面之间的第二区域中的该半导体层的晶体结构。使用退火制程将该半导体层的该第一区域转换为多晶状态，并将该半导体层的该第二区域转换为单晶状态。自该半导体层的该第二区域以及该半导体层的该第二区域上方外延生长的另一个半导体层图案化该鳍片。
主权项：1.一种半导体结构，包括：半导体层，包括第一多晶层，其中，该第一多晶层包括多晶半导体材料、多个第一缺陷、以及惰性气体种类的原子；以及第一鳍式场效应晶体管，包括多个第一鳍片，位于该第一多晶层上方，其中，各该多个第一鳍片由单晶半导体材料组成，且其中，各该多个第一鳍片具有第一部分以及直接位于该第一部分与该第一多晶层之间的第二部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 在一个或多个埋置多晶层上方的鳍式场效应晶体管
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