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申请/专利权人：美国亚德诺半导体公司
摘要：本文公开了低电容多晶硅可控整流器SCR。在某些实施例中，SCR包括在基板中彼此相邻形成的n型阱NW和p型阱PW。SCR还包括有源区，该有源区包括在NW之上并连接到SCR的阳极端子的p型有源p+鳍区，以及在PW之上并连接到SCR的阴极端子的n型有源n+鳍区。SCR还包括在PW和NW上的多晶硅栅极区，其用于分离有源区，同时还提高响应于快速过应力瞬变的SCR的导通速度。
主权项：1.一种用于保护接口免受电过应力事件影响的可控硅SCR保护结构，所述SCR保护结构包括：在基板中形成的n型阱NW；形成在与所述NW相邻的基板中的p型阱PW；多个有源区，包括在所述NW之上并连接到阳极端子的第一p型有源p+鳍区和在所述PW之上并连接到阴极端子的第一n型有源n+鳍区；和在所述PW和NW上形成的多个多晶硅栅极区，其中所述多个多晶硅栅极区分离所述多个有源区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美国亚德诺半导体公司 低电容多晶硅可控整流器
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