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低电容多晶硅可控整流器 

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申请/专利权人:美国亚德诺半导体公司

摘要:本文公开了低电容多晶硅可控整流器SCR。在某些实施例中,SCR包括在基板中彼此相邻形成的n型阱NW和p型阱PW。SCR还包括有源区,该有源区包括在NW之上并连接到SCR的阳极端子的p型有源p+鳍区,以及在PW之上并连接到SCR的阴极端子的n型有源n+鳍区。SCR还包括在PW和NW上的多晶硅栅极区,其用于分离有源区,同时还提高响应于快速过应力瞬变的SCR的导通速度。

主权项:1.一种用于保护接口免受电过应力事件影响的可控硅SCR保护结构,所述SCR保护结构包括:在基板中形成的n型阱NW;形成在与所述NW相邻的基板中的p型阱PW;多个有源区,包括在所述NW之上并连接到阳极端子的第一p型有源p+鳍区和在所述PW之上并连接到阴极端子的第一n型有源n+鳍区;和在所述PW和NW上形成的多个多晶硅栅极区,其中所述多个多晶硅栅极区分离所述多个有源区。

全文数据:

权利要求:

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