首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:上海大学

摘要:本发明公开了一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法,属于合金材料及其制备技术领域。以含氧的CrCoNiO预合金化靶材为原料进行溅射,通过溅射参数的控制,得到氧原子掺杂量为12.5at.%的氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜。该CrCoNiO12.5薄膜能够在保持纳米晶高强度的同时获得超过50%压缩塑性而不在形变过程中产生任何剪切带。

主权项:1.一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜,其特征在于,氧原子的掺杂量为12.5at.%;所述氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜由宽度3nm、长度34nm的枝晶构成,所述枝晶为FCC+HCP双相结构,内部包含大量的层错和孪晶;所述氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜利用磁控溅射制备得到;所述磁控溅射过程中使用的靶材为含氧的CrCoNiO预合金化靶材。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海大学 一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。