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厚度可控的超薄二维InxSyOz的制备方法及其在气敏领域的应用 

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申请/专利权人:成都大学

摘要:本发明公开了一种厚度可控的超薄二维InxSyOz的制备方法及其在气敏领域的应用。所述制备方法首先以金属铟作为原料,采用液态金属印刷法制备得到二维In2O3薄膜;制备过程中通过控制氧气含量的不同来调控制备的二维In2O3薄膜的厚度;然后将二维In2O3薄膜置于管式炉中,通入氮气完全排出管式炉中空气,接着向管式炉中通入H2S气体,使H2S在氮气中的浓度为50‑300ppm,然后在持续通入H2S的条件下将管式炉加热至200~300℃并保温1‑3小时进行硫化反应,反应结束后自然冷却至室温,得到厚度可控的超薄二维InxSyOz材料。本发明的方法结合液态金属印刷法和硫化处理制备出厚度可控的超薄二维InxSyOz材料,解决了现有技术中本征非层状二维材料制备困难和厚度不可控等技术难题。

主权项:1.一种厚度可控的超薄二维InxSyOz的制备方法,其特征在于,步骤如下:S1、以金属铟作为原料,采用液态金属印刷法制备得到二维In2O3薄膜;制备过程中通过控制氧气含量的不同来调控制备的二维In2O3薄膜厚度;S2、将二维In2O3薄膜置于管式炉中,通入氮气完全排出管式炉中空气,接着向管式炉中通入H2S气体,使H2S在氮气中的浓度为50-300ppm,然后在持续通入H2S的条件下将管式炉加热至200~300℃并保温1-3小时进行硫化反应,反应结束后自然冷却至室温,得到厚度可控的超薄二维InxSyOz材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 成都大学 厚度可控的超薄二维InxSyOz的制备方法及其在气敏领域的应用

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