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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明涉及新材料领域，旨在提供一种面内零空位缺陷高熵纳米片及其制备方法。本发明所述面内零空位缺陷高熵纳米片，其产品外观呈粉体状，其微观结构显示为不规则的纳米片结构，单层纳米片结构的厚度为10～20nm；该纳米片的分子式为La0.4Nd0.9Y0.7Zr1.3,Mo0.5,Ti0.4,Cr0.3,W0.2,Ta0.3O7。本发明的制备方法综合材料微观结构与能带调控策略，大大提高了所得纳米片状的结构稳定性，最终制得的纳米片面内具有零空位缺陷的特性，大大提高了拦截阻碍腐蚀性物质或离子的能力；产品具备比表面积高、稳定性好的特性，因而还可作为催化电极材料，用于电催化分解水的催化领域；还可作为导电型增强相，用于低压电器的电接触领域。
主权项：1.一种面内零空位缺陷高熵纳米片，其特征在于，该纳米片产品的外观呈粉体状，其微观结构显示为不规则的纳米片结构，单层纳米片结构的厚度为10～20nm；该纳米片的分子式为La0.4Nd0.9Y0.7Zr1.3Mo0.5Ti0.4Cr0.3W0.2Ta0.3O7。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种面内零空位缺陷高熵纳米片及其制备方法
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