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申请/专利权人：金南宪
摘要：本发明涉及一种用于晶片蚀刻的等离子体腔室及利用等离子体腔室的晶片蚀刻方法，本发明的等离子体腔室的特征在于，包括：壳体，其为了通过等离子体来蚀刻晶片而在内部具备反应空间；底板，其具备于上述壳体内部，且安置上述晶片；以及压力调节部，其调节上述壳体内部的压力，上述压力调节部将上述壳体内部的压力调节为50至150毫托mTorr，本发明的利用等离子体腔室的晶片蚀刻方法的特征在于，包括：通过上述压力调节部将上述壳体内部的压力调节为50至150毫托mTorr的压力调节步骤；以及通过上述等离子体源将上述等离子体源的源功率sourcepower调节为300至1000W的源功率调节步骤。
主权项：1.一种用于晶片蚀刻的等离子体腔室，是为了蚀刻晶片而形成等离子体的等离子体腔室，所述用于晶片蚀刻的等离子体腔室的特征在于，包括：壳体，其为了通过等离子体来蚀刻晶片而在内部具备反应空间；底板，其具备于上述壳体内部，且安置上述晶片；以及，压力调节部，其调节上述壳体内部的压力，上述压力调节部将上述壳体内部的压力调节为50至150毫托mTorr。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金南宪 用于晶片蚀刻的等离子体腔室及利用等离子体腔室的晶片蚀刻方法
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