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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明公开了一种基于MXene‑TMDs异质结的二维FET模型的构建方法，包括以下步骤：选取不同组分分别构建TMDs、MXene的模型；计算TMDs、MXene模型的功函数并筛选欧姆接触的组成；构建MXene‑TMDs范德华异质结并探索对应的电子性质和界面接触等性质；筛选出热力学稳定、纵向欧姆接触和隧穿势垒较小的异质结；基于异质结构建二维场效应晶体管器件模型，包含电子输运性质，如零偏压传输谱、PLDOS以及接触电阻，从而筛选最优的二维FET器件模型。本发明利用MXene与TMDs之间的范德华作用，在保证欧姆接触的同时获得更小的隧穿势垒、更高的载流子注入效率，实现更低接触电阻的二维FET器件。
主权项：1.一种基于MXene-TMDs异质结的二维FET模型的构建方法，其特征在于，包括以下步骤：1构建不同元素组成的TMDs和MXene，分别计算能带结构；2根据TMDs、MXene的能带结构计算功函数，选取功函数小于TMDs功函数的MXene；3根据TMDs和步骤2选取的MXene构建MXene-TMDs范德华异质结模型并进行结构优化；4计算各范德华异质结模型的热力学稳定性、能带结构以及界面接触性质；选取热力学稳定、具有纵向欧姆接触且隧穿势垒较小的异质结模型；5根据选取的范德华异质结模型，构建二维FET器件模型；6计算各二维FET模型的电子输运性质，包括零偏压传输谱、器件总电阻、横向界面接触性质；7根据各二维FET模型的电子输运性质，选取最优的二维欧姆接触FET模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种基于MXene-TMDs异质结的二维FET模型的构建方法
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