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申请/专利权人：华南理工大学

摘要：本发明公开了一种FET器件的电特性建模方法、系统和存储介质，应用在半导体仿真技术，方法包括：获取所述FET器件的固定参数；获取所述FET器件的目标电学指标参数；配置并初始化所述FET器件的变量参数；根据所述FET器件的固定参数和变量参数构建物理模型；选择仿真物理模型对所述物理模型进行电学性能仿真，得到仿真电学指标参数；根据所述目标电学指标参数和仿真电学指标参数修改所述变量参数的数值，直到修改后的所述变量参数对应的物理模型的仿真电学指标参数和所述目标电学指标参数的差的绝对值满足预设条件；根据修改后的所述变量参数和所述固定参数所构成的物理模型的电学性能仿真结果，得到所述FET器件的电特性模型。本发明可以提高了建模效率。

主权项：1.一种FET器件的电特性建模方法，其特征在于，包括以下步骤：获取所述FET器件的固定参数；其中，所述固定参数包括栅极长度、等效栅氧化层厚度的至少之一；获取所述FET器件的目标电学指标参数；配置并初始化所述FET器件的变量参数；其中，所述变量参数包括源漏垂直扩散深度、源漏横向扩散宽度、金属功函数或固定电荷浓度的至少之一，所述源漏垂直扩散深度和所述源漏横向扩散宽度用于调整电特性转移曲线，所述金属功函数用于拟合所述电特性转移曲线，所述固定电荷浓度用于微调阈值电压和线性驱动电流；根据所述FET器件的固定参数和变量参数构建物理模型；其中，所述物理模型的衬底由二氧化硅构成，所述物理模型的源区域的上方与金属钨接触形成源电极，所述物理模型的漏区域的上方与金属钨接触形成漏电极，所述物理模型的沟道区域的上方与高K材料的金属栅接触形成栅电极，所述栅电极与所述沟道区域之间配置有栅氧化层，所述栅氧化层的材料由高K材料的HfO2薄层与二氧化硅薄层构成，所述源电极和所述栅电极之间的间隔区域配置有Si3N4层，所述漏电极和所述栅电极之间的间隔区域配置有Si3N4层，所述Si3N4层用于隔绝所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极之间的电极干扰，所述高K材料表征电介质材料具有高介电常数，在所述沟道区域和所述栅氧化层之间注入固定电荷；选择仿真物理模型对所述物理模型进行电学性能仿真，得到仿真电学指标参数；根据所述目标电学指标参数和仿真电学指标参数修改所述变量参数的数值，直到修改后的所述变量参数对应的物理模型的仿真电学指标参数和所述目标电学指标参数的差的绝对值满足预设条件；根据修改后的所述变量参数和所述固定参数所构成的物理模型的电学性能仿真结果，得到所述FET器件的电特性模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 FET器件电特性建模方法、系统和存储介质