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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本发明提供了一种包括n掺杂FET组件102和p掺杂FET组件104的场效应晶体管field‑effecttransistor，FET器件100A。两个FET组件102、104中的每个FET组件包括：硅基衬底层106A、106B和多个水平半导体层108A、108B、108C，多个水平半导体层108A、108B、108C在垂直方向上彼此分离并由栅极层110封装。两个FET组件102、104中的至少一个FET组件还包括多个垂直半导体构件112A、112B、112C，多个垂直半导体构件112A、112B、112C布置在水平半导体层108A、108B、108C中的两个水平半导体层之间。两个FET组件102、104中的至少一个FET组件还包括另一个垂直半导体构件112A，另一个垂直半导体构件112A布置在多个水平半导体层中的底部水平半导体层108A、108B、108C与硅基衬底层106A、106B之间。FET器件100A具有改进的有效宽度WEFF，这进一步使得FET器件100A的性能得到改进。
主权项：1.一种包括两个FET组件的场效应晶体管field-effecttransistor，FET器件100A、100B、600A、600B、600C、600D，其特征在于，所述两个FET组件是n掺杂FET组件102和p掺杂FET组件104，其中，所述两个FET组件中的每个FET组件包括：硅基衬底层106A、106B和多个水平半导体层108A至108C，其中，所述水平半导体层108A至108C在垂直方向上彼此分离并由栅极层110封装；其中，所述两个FET组件中的至少一个FET组件还包括：多个垂直半导体构件112A至112C，垂直半导体层中的每个垂直半导体层布置在所述水平半导体层中的两个水平半导体层之间；另一个垂直半导体构件，所述另一个垂直半导体构件布置在所述多个水平半导体层中的底部水平半导体层与所述硅基衬底层106A、106B之间。
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权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 包括N掺杂FET组件和P掺杂FET组件的场效应晶体管器件
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