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申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请提供一种堆叠晶体管的场区直接连接方法、堆叠晶体管及器件。其中，场区直接连接方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；对第一晶体管进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管；在双扩散隔离区域内刻蚀第一晶体管和第二晶体管，以形成第一凹槽，双扩散隔离区域用于隔离相邻的两个堆叠晶体管；在第一凹槽内填充金属材料，以形成互连通孔结构，互连通孔结构用于连接第一晶体管的第一金属互连层与第二晶体管的第二金属互连层。
主权项：1.一种堆叠晶体管的场区直接连接方法，其特征在于，包括：在衬底上形成有源结构，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，所述第一有源结构相对于所述第二有源结构远离所述衬底；基于所述第一有源结构，形成第一晶体管；对所述第一晶体管进行倒片并去除所述衬底，以暴露所述第二有源结构；基于所述第二有源结构，形成第二晶体管；在双扩散隔离区域内刻蚀所述第一晶体管和所述第二晶体管，以形成第一凹槽，所述双扩散隔离区域用于隔离相邻的两个堆叠晶体管；在所述第一凹槽内填充金属材料，以形成互连通孔结构，所述互连通孔结构用于连接所述第一晶体管的第一金属互连层与所述第二晶体管的第二金属互连层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 堆叠晶体管的场区直接连接方法、堆叠晶体管及器件
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