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申请/专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
摘要：本申请公开了一种在Si111衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：S100、获取Si衬底，以111面为外延面进行Al化预处理，S200、在Al化预处理后得到的Al原子层上沉积AlN成核层，S300、在所述AlN成核层上生长厚度不低于250nm的高温AlN层，之后降温至200℃以下，S400、在所述AlN层表面生长AlGaN层，S500、在所述AlGaN层上生长GaN插入层，S600、在GaN插入层表面生长AlGaN层，S700、重复步骤S500至步骤S600。本申请所述的方法能够在硅衬底上得到高质量、高可重复性且在室温下无裂纹的高Al组分AlGaN外延薄膜。
主权项：1.一种在Si111衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S100、获取Si衬底，以111面为外延面进行Al化预处理；S200、在Al化预处理后得到的Al原子层上沉积AlN成核层；S300、在所述AlN成核层上生长厚度不低于250nm的高温AlN层，之后降温至200℃以下，以形成含有微裂纹的AlN层；S400、在所述AlN层的表面生长AlGaN层；S500、在所述AlGaN层上生长GaN插入层；S600、在所述GaN插入层的表面生长AlGaN层；S700、重复步骤S500至步骤S600至少2次，得到表面无裂纹的AlGaN外延薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中博芯半导体科技有限公司 一种在Si(111)衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法
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