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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
摘要：本发明提供了一种外延生长方法及外延生长装置、外延设备，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，包括：将第一硅片送入外延反应腔室，放置在所述外延反应腔室中的基座上进行外延生长，得到外延硅片；对所述外延硅片边缘的多个预设测试点位进行电阻率测试，根据得到的电阻率值计算所述外延硅片边缘的电阻率偏移值；根据所述电阻率偏移值，对待进行外延生长的第二硅片在所述基座上的位置进行校准。本发明能够改善外延硅晶圆的电阻率均匀性。
主权项：1.一种外延生长方法，其特征在于，包括：将第一硅片送入外延反应腔室，放置在所述外延反应腔室中的基座上进行外延生长，得到外延硅片；对所述外延硅片边缘的多个预设测试点位进行电阻率测试，根据得到的电阻率值计算所述外延硅片边缘的电阻率偏移值；根据所述电阻率偏移值，对待进行外延生长的第二硅片在所述基座上的位置进行校准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安奕斯伟硅片技术有限公司 外延生长方法及外延生长装置、外延设备
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