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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了沟槽型功率半导体器件制作方法，在半导体衬底的第一表面刻蚀沟槽之后，在退火气氛中进行退火处理以修复沟槽的内壁，之后在沟槽中填充导电结构。其中，退火是一种高温热处理工艺，高温气氛可以消除沟槽底部的微沟槽，得到表面光滑的沟槽，同时沟槽顶端及底部生成圆滑的倒角，在修复后的沟槽内制备导电结构，可以防止沟槽拐角电场集中导致击穿，提升沟槽型功率半导体器件的器件性能。
主权项：1.一种沟槽型功率半导体器件制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的第一表面刻蚀沟槽；在所述半导体衬底的第一表面刻蚀沟槽之后，在退火气氛中进行退火处理以修复所述沟槽的内壁；在所述退火处理之后，在所述沟槽内填充导电结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 沟槽型功率半导体器件制作方法
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