龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
摘要：本申请公开了一种双自对准负反馈沟槽半导体器件及制造方法,双自对准负反馈沟槽半导体器件包括衬底和外延层，外延层内设有嵌埋式栅极结构；外延层内且位于嵌埋式栅极结构的一侧设置有基区；外延层内位于嵌埋式栅极结构的另一相对侧由下往上依次设置有第一沟道区、第二沟道区源区；基区以侧边完全覆盖方式相接于第一沟道区、第二沟道区与源区远离嵌埋式栅极结构的侧边，基区的掺杂浓度高于第一沟道区的掺杂浓度，第二沟道区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度以构成在第一沟道区与源区之间的负反馈电阻，实现栅源极耐压分压。本申请在沟道区域形成负反馈电阻，能够自动调整栅源之间耐压，实现栅源耐压分压，降低栅氧层被击穿风险，提高器件可靠性。
主权项：1.一种双自对准负反馈沟槽半导体器件，其特征在于，包括：衬底（10）；第一掺杂类型的外延层（20），形成在所述衬底（10）的上表面，所述外延层（20）内设有嵌埋式栅极结构；其中，所述外延层（20）内且位于所述嵌埋式栅极结构的一侧形成有第二掺杂类型的基区（50）；所述外延层（20）内位于所述嵌埋式栅极结构的另一相对侧由下往上依次形成有第二掺杂类型的第一沟道区（51）、第一掺杂类型的第二沟道区（52）以及第一掺杂类型的源区（53）；其中，所述基区（50）以侧边完全覆盖方式相接于所述第一沟道区（51）、所述第二沟道区（52）与所述源区（53）远离所述嵌埋式栅极结构的侧边；所述基区（50）的掺杂浓度高于所述第一沟道区（51）的掺杂浓度，并且所述第二沟道区（52）的掺杂浓度低于源区（53）的掺杂浓度，以构成在第一沟道区（51）与源区（53）之间的负反馈电阻，实现栅源极耐压分压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳真茂佳半导体有限公司 双自对准负反馈沟槽半导体器件及制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号