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申请/专利权人：珠海精路电子有限公司
摘要：本申请涉及电路板生产领域，公开了一种功率半导体用金属基层压板，金属基层压板包括依次叠置的金属基板、树脂组合物介质层和电路层，金属基板靠近电路层的一侧设有用于释放应力的凹槽，树脂组合物介质层嵌入到凹槽内并将金属基板和电路层连接，金属基板用于金属基层压板的散热结构，树脂组合物介质层的热导率为0.3～30Wm·℃，电路层用于固定IGBT芯片。凹槽包括横向深凹槽和横向浅凹槽，横向深凹槽和横向浅凹槽相互平行设置，横向深凹槽的深度大于横向浅凹槽的深度，相邻的横向深凹槽之间设有一个或多个横向浅凹槽。本申请使用金属基层压板提高了IGBT模块的基板的温度循环能力和散热效果，提高了功率半导体的温度循环能力和散热效果。
主权项：1.一种功率半导体用金属基层压板，其特征在于，金属基层压板1包括依次叠置的金属基板11、树脂组合物介质层12和电路层13，金属基板11靠近电路层13的一侧设有用于释放应力的凹槽111，树脂组合物介质层12嵌入到凹槽111内并将金属基板11和电路层13连接，金属基板11用于金属基层压板1的散热结构，树脂组合物介质层12的热导率为0.3～30Wm·℃，电路层13用于固定IGBT芯片；凹槽111包括横向深凹槽112和横向浅凹槽113，横向深凹槽112和横向浅凹槽113相互平行设置，横向深凹槽112的深度大于横向浅凹槽113的深度，相邻的横向深凹槽112之间设有一个或多个横向浅凹槽113。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海精路电子有限公司 一种功率半导体用金属基层压板及其制备方法
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