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申请/专利权人：合肥中聚和成电子材料有限公司
摘要：本发明公开了一种ITO蚀刻液，属于蚀刻液技术领域。一种ITO蚀刻液，由以下质量分数的原料构成：8～18%无机酸、1～5%钾盐、0.2～0.8%助剂、0.05～0.5%表面活性剂、75～90%去离子水。含苯并咪唑结构和异噻唑啉酮结构的助剂能均一分散并稳定存在于蚀刻液中，进而能够有效控制蚀刻速率、侧蚀、不易腐蚀其他金属层，同时能使得蚀刻液具备优异稳定的抗菌效果，避免清洗阶段菌类对样品带来的不良影响；本发明的蚀刻液的成分稳定，无毒，废液易回收、无污染，环保，很好地解决了现有的硝酸加硫酸型ITO蚀刻液在产线应用过程中，常出现的大量且不溶于强酸的结晶的情况，且刻蚀效果优异，具有广阔的应用市场。
主权项：1.一种ITO蚀刻液，其特征在于，由以下质量分数的原料构成：8～18%无机酸、1～5%钾盐、0.2～0.8%助剂、0.05～0.5%表面活性剂、75～90%去离子水；其中，所述助剂通过如下步骤制备：S1、氮气保护下将3-氯甘油、三乙胺和去离子水加入烧瓶中，搅拌后加三羟甲基氨基甲烷，80℃反应3h，减压蒸馏，得到中间体1；S2、氮气保护下将异噻唑啉酮、三乙胺和DMSO加入烧瓶中，搅拌后加中间体1和DMSO，80℃反应4h，减压蒸馏，得中间体2；S3、氮气保护下向烧瓶中加入2-羟甲基苯并咪唑、丁二酸酐、DMAP以及氯仿，50℃反应12h，抽滤，洗涤滤液，干燥，浓缩，柱层析提纯，减压蒸馏，得到中间体3；S4、将中间体2、中间体3和DMSO加入烧瓶中，搅拌后加入浓硫酸，110℃反应3h，冷却，中和，静置分层，取有机相干燥，过滤，减压蒸馏，得到助剂。
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权利要求：
百度查询： 合肥中聚和成电子材料有限公司 一种ITO蚀刻液
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