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申请/专利权人：福莱盈电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种蚀刻因子改善方法，用于对电路板上的铜层进行蚀刻，其中蚀刻因子改善方法包括：步骤一：将干膜压设在电路板表面；步骤二：对电路板进行曝光，将底片图形转移至干膜上；步骤三：对电路板进行显影，清除未曝光部分的干膜，保留被曝光部分的干膜；步骤四：对裸露的铜层进行多次蚀刻，其中多次蚀刻的线速大于默认线速，直至铜层去除；其中，默认线束表示所述电路板进行蚀刻时能一次性地将所述铜层去除的线速；步骤五：去除电路板上剩余的干膜。通过本发明的结构，可通过多次进行快线速的蚀刻改善蚀刻因子，以提高电路板产出质量。
主权项：1.一种蚀刻因子改善方法，用于对电路板上的铜层进行蚀刻，其特征在于，所述蚀刻因子改善方法包括：步骤一：将干膜压设在所述电路板表面；步骤二：对所述电路板进行曝光，将底片图形转移至所述干膜上；步骤三：对所述电路板进行显影，清除未曝光部分的所述干膜，保留被曝光部分的所述干膜；步骤四：对裸露的所述铜层进行多次蚀刻，其中多次所述蚀刻中的任一次的线速大于默认线速，直至所述铜层去除；其中，默认线束表示所述电路板进行蚀刻时能一次性地将所述铜层去除的线速；步骤五：去除所述电路板上剩余的所述干膜。
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百度查询： 福莱盈电子股份有限公司 一种蚀刻因子改善方法
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