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一种柔性ITO透明导电膜及其制备方法 

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申请/专利权人:威海华浦电子科技有限公司

摘要:本发明涉及一种柔性ITO透明导电膜及其制备方法,该柔性ITO透明导电膜包括PET衬底,在PET衬底依次设有缓冲层、第一导电层和第二导电层,所述缓冲层为二氧化硅层,所述第一导电层为ITO膜层,所述第二导电层为掺杂有银纳米线的PEDOT膜层,其中,缓冲层厚度为20‑25nm,第一导电层厚度为110‑116nm,第二导电层厚度为50‑60nm。通过该制备方法,可以获得低电阻率的柔性ITO透明导电膜,该柔性ITO透明导电膜,通过第一导电层和第二导电层结合,不仅能保证较低的电阻率,且改善了原来单层ITO薄膜的挠曲性能,降低了ITO膜层皲裂风险;此外,PEDOT导电层相较于原来的ITO膜具有更好的环境稳定性,解决了原来单层ITO薄膜易吸水发霉的问题。

主权项:1.一种柔性ITO透明导电膜,其特征在于,包括PET衬底,在PET衬底依次设有缓冲层、第一导电层和第二导电层,所述缓冲层为二氧化硅层,所述第一导电层为ITO膜层,所述第二导电层为掺杂有银纳米线的PEDOT膜层,其中,缓冲层厚度为20-25nm,第一导电层厚度为110-116nm,第二导电层厚度为50-60nm。

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权利要求:

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