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申请/专利权人：安徽大学
摘要：本发明公开了一种具有中空结构的PtSnBiPdIn高熵合金纳米材料的制备及其在电催化氧化中的应用。本发明采用简单的溶剂热法，制备了具有中空结构的高熵合金纳米催化剂，所得催化剂的尺寸在5nm左右且具有明显的中空结构。此外，由于中空结构的存在，可暴露出更多的活性位点，提供更大的比表面积，从而提高了Pt基催化剂的电催化性能。实施合金化策略被广泛认为是提高铂Pt利用率、降低成本和实现高催化活性的有效方法。将Pt与其它金属进行合金化，可以减少Pt的使用量从而降低生产成本，相比于PtC和PdC催化剂，本发明的催化剂对乙二醇氧化反应表现出更高的催化性能。
主权项：1.一种具有中空结构的PtSnBiPdIn高熵合金纳米材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将合金前驱体与还原剂、表面活性剂置于反应器中，加入溶剂1-十八烯和胺类溶液，超声溶解形成均匀分散的混合溶液；步骤2：将步骤1获得的混合溶液加热至200℃～220℃反应1-3小时；反应结束后自然冷却至室温，用乙醇和环己烷混合溶液洗涤，离心，得到中空结构的PtSnBiPdInHEANPs纳米材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大学 具有中空结构的PtSnBiPdIn高熵合金纳米材料的制备及其在电催化氧化中的应用
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