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一种高熵化合物热电材料及其制备方法 

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申请/专利权人:中国科学技术大学

摘要:本发明提供了一种高熵化合物热电材料,具有式Ⅰ所示化学式:AgSbPbSnGeTe5+x%Cu2Te式1;其中,0≤x≤11。本发明提供的上述高熵化合物热电材料结晶性良好,具有典型面心立方晶体结构。Ag,Sb,Pb,Sn,Ge,Te六种元素分布均匀且与化学式比例相近。其具备较高的电导率和较低的晶格热导率,其中高熵AgSbPbSnGeTe5热电优值可在673K温度下可达到1.22,在室温到673K温度范围内,其平均热电优值可到达0.81,是在中温附近具备可观热电性能的新型热电材料。并且通过载流子优化手段,与少量Cu2Te固溶后,其热电优值在723K温度下可达到1.75。

主权项:1.一种高熵化合物热电材料,具有式Ⅰ所示化学式:AgSbPbSnGeTe5+x%Cu2Te式1;其中,0≤x≤11。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学技术大学 一种高熵化合物热电材料及其制备方法

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