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衬底处理方法 

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申请/专利权人:ASMIP私人控股有限公司

摘要:公开了一种衬底处理方法,包括:将其表面中具有间隙的衬底提供到反应空间中;用可流动的氮化硅膜部分地填充多个间隙中的每个;通过将氮化硅膜转化成氧化硅膜来形成部分地填充在间隙中的氧化硅膜;用氮化硅膜完全填充部分填充有氧化硅膜的间隙;以及通过将氮化硅膜转化成氧化硅膜来形成将被完全填充在间隙中的氧化硅膜。

主权项:1.一种衬底处理方法,包括:将在其表面中具有间隙的衬底提供到反应空间中;用可流动的氮化硅膜部分地填充间隙;通过将氮化硅膜转化成氧化硅膜来形成部分填充在间隙中的氧化硅膜;用氮化硅膜完全填充部分填充有氧化硅膜的间隙;以及通过将氮化硅膜转化成氧化硅膜,形成完全填充在间隙中的氧化硅膜。

全文数据:

权利要求:

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