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申请/专利权人：宁波大学
摘要：本发明公开了具有光电流响应的镉配合物半导体晶体材料及其制备方法与用途。具体地，所述晶体属于三斜晶系，空间群为P‑1，分子式为C128H80Cd2N6O8，分子量为2054.86，晶胞参数α＝111.3952°，β＝102.2862°，γ＝90.4322°；晶体的结构单元通过9,10‑二4‑羧基苯基蒽和9,10‑二4‑吡啶基蒽配体沿不同方向进行拓展，形成一个具有孔道结构的三维网络结构，三维网络结构通过其孔道形成一种具有三重穿插的结构。所制备的半导体晶体材料具有明确的空间结构和准确的分子式，在室温下该材料具有良好的电流响应性能，其作为光电流响应的半导体材料，具有广泛的应用前景。
主权项：1.一种具有光电流响应的镉配合物半导体晶体材料，其特征在于，所述镉配合物半导体晶体材料命名为NN-MOF4，该晶体属于三斜晶系，空间群为P-1，分子式为C128H80Cd2N6O8，分子量为2054.86，晶胞参数α＝111.3952°，β＝102.2862°，γ＝90.4322°；每个不对称结构单元包含1.5个9,10-二4-吡啶基蒽配体、一个9,10-二4-羧基苯基蒽羧酸根和一个CdII离子；CdII离子采用变形六配位八面体构型，平面的四个氧原子来自于羧基，轴向两个原子来自吡啶基氮原子，晶体的结构单元通过9,10-二4-羧基苯基蒽和9,10-二4-吡啶基蒽配体沿不同方向进行拓展，形成一个具有孔道结构的三维网络结构，三维网络结构通过其孔道形成一种具有三重穿插的结构。
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百度查询： 宁波大学 一种具有光电流响应的镉配合物半导体晶体材料及其制备方法与用途
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