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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种高压SiCMOSFET的封装结构及封装方法，包括载体框架、目标封装芯片、键合引线、绝缘层以及塑封体；载体框架的芯片载体包括承载面和散热面，载体框架的第一引脚和第二引脚相对设在承载面两侧；目标封装芯片的背面与承载面焊接，正面通过键合引线与第二引脚连接；目标封装芯片的正面和侧壁、承载面位于目标封装芯片的外周、芯片载体靠近第二引脚的侧壁，以及第二引脚靠近芯片载体的一端均设有绝缘层；塑封体包裹在由载体框架、目标封装芯片、键合引线以及绝缘层组成的连接体的外部，且散热面裸露在塑封体外部。本发明采用顶部散热设计，在保证封装尺寸较小的同时，保证器件的散热效率和电气绝缘性。
主权项：1.一种高压SiCMOSFET的封装结构，其特征在于，包括载体框架（1）、目标封装芯片（2）、键合引线（3）、绝缘层（4）以及塑封体（5）；所述载体框架（1）包括芯片载体（11）、多个第一引脚（12）以及多个第二引脚（13）；所述芯片载体（11）包括相对设置的承载面（111）和散热面（112），所述第一引脚（12）和所述第二引脚（13）相对设置在所述承载面（111）的两侧，且所述第一引脚（12）与所述承载面（111）固定连接，所述第二引脚（13）与所述承载面（111）之间设有连接间隙；所述目标封装芯片（2）的背面与所述承载面（111）焊接，所述目标封装芯片（2）的正面通过所述键合引线（3）与所述第二引脚（13）连接；所述目标封装芯片（2）的正面和侧壁、所述承载面（111）位于所述目标封装芯片（2）的外周、所述芯片载体（11）靠近所述第二引脚（13）的侧壁，以及所述第二引脚（13）靠近所述芯片载体（11）的一端均设置有所述绝缘层（4）；所述塑封体（5）包裹在由所述载体框架（1）、所述目标封装芯片（2）、所述键合引线（3）以及所述绝缘层（4）组成的连接体的外部，且所述第一引脚（12）远离所述芯片载体（11）的一端、所述第二引脚（13）远离所述芯片载体（11）的一端，以及所述散热面（112）均裸露在所述塑封体（5）外部。
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权利要求：
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