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申请/专利权人：长鑫存储技术(上海)有限公司
摘要：本申请实施例至少提供一种写操作电路，包括：数据判断模块，根据半导体存储器的输入数据中为低的数据的位数，确定是否翻转输入数据，以生成翻转标识数据和第一中间数据；数据缓冲模块，根据第二中间数据，确定是否翻转全局总线，其中，第二中间数据为第一中间数据的反相数据；数据接收模块，根据翻转标识数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入半导体存起的存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据；预充电模块，将全局总线的初始态设置为高。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge上拉架构下，减少内部全局总线的翻转次数，从而大幅压缩电流，降低功耗。
主权项：1.一种写操作电路，应用于半导体存储器，其特征在于，包括：数据判断模块，用于根据所述半导体存储器的输入数据中为低的数据的位数，确定是否翻转所述输入数据，以生成翻转标识数据和第一中间数据；数据缓冲模块，包括多个NMOS晶体管和多个第一反相器，所述NMOS晶体管的栅极通过所述第一反相器连接于所述数据判断模块，以接收第二中间数据，所述NMOS晶体管的漏极连接于全局总线，所述数据缓冲模块用于根据所述第二中间数据，确定是否翻转所述全局总线，其中，所述第二中间数据为所述第一中间数据的反相数据；数据接收模块，连接于存储块，所述数据接收模块接收所述全局总线上的全局总线数据，并通过翻转标识信号线接收所述翻转标识数据，用于根据所述翻转标识数据，对所述全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入所述半导体存储器的存储块，所述解码包括确定是否翻转所述全局总线数据；预充电模块，连接于预充电信号线，用于将所述全局总线的初始态设置为高；其中，所述数据判断模块用于在所述输入数据中为低的数据的位数大于预设值的情况下，将所述输入数据的翻转数据作为所述第一中间数据输出，并将所述翻转标识数据置为高；以及在所述输入数据中为低的数据的位数小于等于所述预设值的情况下，将原始的所述输入数据作为所述第一中间数据输出，并将所述翻转标识数据置为低。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术(上海)有限公司 写操作电路、半导体存储器和写操作方法
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