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申请/专利权人：长鑫存储技术(上海)有限公司

摘要：本申请实施例至少提供一种读操作电路，包括：数据判断模块，用于从存储块中读出读取数据，并根据前次读取数据和当前读取数据中数据变化的位数，确定是否翻转当前读取数据，以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据；数据接收模块，用于根据翻转标识数据，确定是否翻转全局总线数据，以输出缓存数据；并串转换电路，用于对缓存数据进行并串转换，以生成DQ端口的输出数据；数据缓冲模块，用于根据使能信号以及当前读取数据确定全局总线的初始态。本申请实施例的技术方案可以实现在TriState架构下，减少内部全局总线翻转次数，大幅压缩电流，降低功耗。

主权项：1.一种读操作电路，应用于半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括DQ端口和存储块，所述读操作电路包括：数据判断模块，连接于所述存储块，用于从所述存储块中读出读取数据，并根据前次读取数据和当前读取数据中数据变化的位数，确定是否翻转所述当前读取数据，以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据；数据接收模块，与所述全局总线和所述翻转标识信号线连接，用于根据所述翻转标识数据，确定是否翻转所述全局总线数据，以输出缓存数据；并串转换电路，连接于所述数据接收模块和所述DQ端口之间，用于对所述缓存数据进行并串转换，以生成所述DQ端口的输出数据；数据缓冲模块，通过所述全局总线连接于所述存储块，所述数据缓存模块还接收使能信号，用于根据所述使能信号以及所述当前读取数据确定所述全局总线的初始态；所述数据判断模块用于根据所述当前读取数据与所述前次读取数据之间的变化，确定变化标记数据；以及在所述变化标记数据中为高的位数大于预设值的情况下，将所述当前读取数据的翻转数据作为所述全局总线数据输出，并将所述翻转标识数据置为高；在所述变化标记数据中为高的位数小于等于所述预设值的情况下，将原始的当前读取数据作为所述全局总线数据输出，并将所述翻转标识数据置为低；所述数据接收模块包括多个数据接收单元，所述数据接收单元包括：第三反相器，所述第三反相器的输入端通过所述翻转标识信号线接收所述翻转标识数据；第四反相器，所述第四反相器的输入端通过所述全局总线接收所述全局总线数据；第三传输门，所述第三传输门的输入端连接于所述第四反相器的输出端，所述第三传输门的输出端与所述并串转换电路连接，用于向所述并串转换电路输出所述缓存数据，所述第三传输门的反控制端连接于所述第三反相器的输出端，所述第三传输门的正控制端通过所述翻转标识信号线接收所述翻转标识数据；第四传输门，所述第四传输门的输入端通过所述全局总线接收所述全局总线数据，所述第四传输门的输出端与所述并串转换电路连接，用于向所述并串转换电路输出所述缓存数据，所述第四传输门的反控制端通过所述翻转标识信号线接收所述翻转标识数据，所述第四传输门的正控制端连接于所述第三反相器的输出端。

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