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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：用于在功率器件中减小衬底掺杂剂向外扩散的氧插入的Si层。该半导体器件包括：掺杂的Si基底衬底，形成在掺杂的Si基底衬底的主表面之上的一个或多个器件外延层，扩散阻挡结构，以及形成在扩散阻挡结构上方的栅极。扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层，该Si和氧掺杂Si的交替层形成在与掺杂的Si基底衬底的主表面相邻的掺杂的Si基底衬底的上部中、形成在与掺杂的Si基底衬底的主表面相邻的一个或多个器件外延层的下部中、或者形成在被设置在掺杂的Si基底衬底的主表面与一个或多个器件外延层之间的一个或多个附加外延层中。
主权项：1.一种半导体器件，其包括：掺杂的Si基底衬底；一个或多个器件外延层，其形成在所述掺杂的Si基底衬底的主表面之上；扩散阻挡结构，其包括Si和氧掺杂Si的交替层，所述Si和氧掺杂Si的交替层形成在与所述掺杂的Si基底衬底的主表面相邻的掺杂的Si基底衬底的上部中、形成在与所述掺杂的Si基底衬底的主表面相邻的一个或多个器件外延层的下部中、或者形成在所述掺杂的Si基底衬底的主表面与所述一个或多个器件外延层之间设置的一个或多个附加外延层中；以及栅极，其形成在所述扩散阻挡结构上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 用于在功率器件中减小衬底掺杂剂向外扩散的氧插入的Si层
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