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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种后段金属互连结构及其制备方法，其中制备方法中，先刻蚀硬掩膜层，然后刻蚀缓冲层，形成第一沟槽；接着刻蚀至少部分厚度的低K电介质材料层，形成第二沟槽，本申请通过在刻蚀缓冲层选用较大的刻蚀气体的CF比，以及在刻蚀低K电介质材料层时选用较小的刻蚀气体的CF比，并且在刻蚀缓冲层选用较低的刻蚀速率以及在刻蚀低K电介质材料层顶端位置时选用较高的刻蚀速率，以使第一沟槽的横向尺寸由宽变窄，并且使第二沟槽的横向尺寸由窄变宽，再由宽变窄，可以增大金属互连结构中最薄弱位置的金属线横向间距，进而提升器件的TDDB性能，并且使得金属互连结构的顶部边角为钝角，也扩大了金属互连结构顶面相邻金属线之间的间距。
主权项：1.一种后段金属互连结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构中形成有互连金属层，所述半导体结构上形成有第一刻蚀阻挡层、低K电介质材料层、缓冲层和硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，以形成开口；根据所述开口，刻蚀所述缓冲层，以在所述缓冲层中形成若干第一沟槽；根据所述第一沟槽，刻蚀至少部分厚度的所述低K电介质材料层，以在所述低K电介质材料层中形成第二沟槽，其中，刻蚀所述缓冲层所用的刻蚀气体的CF比大于刻蚀所述低K电介质材料层所用的刻蚀气体的CF比，并且刻蚀所述缓冲层的刻蚀速率小于刻蚀所述低K电介质材料层顶端的刻蚀速率，以使所述第一沟槽的横向尺寸从顶端至底端方向，由宽变窄，以及所述第二沟槽的横向尺寸从顶端至底端方向，由窄变宽，再由宽变窄；形成金属材料层，所述金属材料层覆盖所述第一沟槽的侧壁、所述第二沟槽的侧壁和底壁以及所述硬掩膜层表面，以及填充所述第二沟槽和所述第一沟槽；研磨去除超出所述低K电介质材料层表面的所述金属材料层、所述硬掩膜层和缓冲层；以及形成第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层覆盖所述低K电介质材料层和所述第二沟槽中的所述金属材料层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 后段金属互连结构及其制备方法
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