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申请/专利权人：盛合晶微半导体(江阴)有限公司
摘要：本发明提供一种3D垂直互连封装结构及其制备方法，通过层压法将介电层及金属层依次平行叠置并在切割后制备具有间隔且平行设置金属层的3D互连结构，并在键合时将3D互连结构垂直设置以构成3D垂直互连结构，从而可通过控制3D互连结构中的介电层的厚度控制3D垂直互连结构中金属层间的间距，通过控制3D互连结构中的金属层的长度以控制3D垂直互连结构中金属层的高度，且通过控制3D互连结构中的金属层的厚度以控制3D垂直互连结构中金属层的接触点的大小；本发明可实现高密度封装，且制程工艺灵活，适用范围广，可避免金属偏移确保产品质量。
主权项：1.一种3D垂直互连封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一支撑衬底；采用层压法，于所述第一支撑衬底上将介电层及金属层依次平行叠置；去除所述第一支撑衬底，进行切割，形成3D互连结构，且所述3D互连结构的相对侧面均显露各所述金属层的第一端及第二端；提供第二支撑衬底；于所述第二支撑衬底上形成第一重新布线层；旋转所述3D互连结构，将所述3D互连结构键合于所述第一重新布线层上构成3D垂直互连结构，使得显露的所述金属层的第一端与所述第一重新布线层电连接，以及于所述第一重新布线层上键合第一芯片，且所述第一芯片与所述第一重新布线层电连接；形成封装层，所述封装层包覆所述3D垂直互连结构及所述第一芯片，且所述封装层显露所述金属层的第二端；于所述封装层上形成第二重新布线层，所述第二重新布线层与显露的所述金属层的第二端电连接；于所述第二重新布线层上键合第二芯片，所述第二芯片与所述第二重新布线层电连接；去除所述第二支撑衬底，显露所述第一重新布线层；于所述第一重新布线层上形成金属凸块，所述金属凸块与所述第一重新布线层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 3D垂直互连封装结构及其制备方法
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