龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请提供了一种形成三维存储器结构的方法和掩膜板，方法包括：在衬底上形成底部层叠结构，并在底部层叠结构远离衬底的一侧形成第一掩膜；基于所述第一掩膜对所述底部层叠结构进行刻蚀，以形成贯穿所述底部层叠结构和所述衬底一部分的多个开口；以及在所述底部层叠结构上形成暴露所述多个开口中的至少一部分开口的第二掩膜，并基于所述第二掩膜向经由所述至少一部分开口暴露的衬底进行掺杂。通过改变现有的工艺顺序，将底部层叠结构的刻蚀工艺和零层刻蚀工艺设置在一起，使得底部层叠结构的刻蚀工艺和零层刻蚀工艺能够共用一层掩膜，节省了掩膜材料，同时减少了光刻过程，简化了工艺。
主权项：1.一种形成三维存储器结构的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底的第一侧形成垫层氧化物；经由所述垫层氧化物向所述衬底进行离子注入，以在所述衬底中靠近所述垫层氧化物的部分掺杂形成高压阱区，并将所述垫层氧化物作为位于所述高压阱区上表面的离子掺杂后的第一氧化物层；在所述垫层氧化物上依次交替形成氮化物层和氧化物层，以形成底部层叠结构；在所述底部层叠结构远离所述衬底的一侧形成第一掩膜；基于所述第一掩膜对所述底部层叠结构进行第一刻蚀，以在所述底部层叠结构中形成多个第一开口；基于所述第一掩膜经由所述多个第一开口对所述衬底进行第二刻蚀，以形成贯穿所述底部层叠结构和所述衬底一部分的多个第二开口，其中，所述多个第二开口延伸并停止于所述高压阱区；以及在所述底部层叠结构上形成暴露所述多个开口中的至少一部分开口的第二掩膜，并基于所述第二掩膜向经由所述至少一部分开口暴露的衬底进行高浓度离子注入；其中，所述多个第二开口中的至少之一为用作刻蚀对准标记的零层标记开口，所述多个第二开口中的至少之一为下选择晶体管开口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 形成三维存储器结构的方法和掩膜板
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号