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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：本发明提供了一种快闪存储器及其形成方法，其中快闪存储器包含排列于衬底之上的多个栅极堆叠、间隔结构、设置于间隔结构之上的介电结构、以及被介电结构与间隔结构密封的气隙。间隔结构包含覆盖栅极堆叠的下部的侧壁的多个薄间隔物、以及覆盖栅极堆叠的上部的侧壁的多个厚间隔物。厚间隔物分别位于薄间隔物之上且比薄间隔物厚。气隙包含介于薄间隔物之间的主体部、以及介于厚间隔物之间的头部。主体部比头部宽。
主权项：1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：多个栅极堆叠，排列于一衬底上；一间隔结构，包括覆盖所述多个栅极堆叠的下部的侧壁的多个薄间隔物、以及覆盖所述多个栅极堆叠的上部的侧壁的多个厚间隔物，其中所述多个厚间隔物分别位于所述多个薄间隔物上且比所述多个薄间隔物厚；一介电结构，设置于所述间隔结构上；以及一气隙，被所述介电结构与所述间隔结构密封，其中所述气隙包括介于所述多个薄间隔物之间的一主体部、以及介于所述多个厚间隔物之间的一头部，且所述主体部比所述头部宽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦电子股份有限公司 快闪存储器及其形成方法
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