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申请/专利权人：派恩杰半导体(杭州)有限公司

摘要：本发明提供了一种集成ESD的SiC功率MOSFET器件及其制备方法，由于用于ESD的PN结二极管是集成在MOSFET器件本身需要的栅极压焊区下方，不需要额外的芯片面积，不会影响芯片的集成度。且栅极压焊区的面积较大，使得PN结二极管的面积也可以较大，PN结二极管环绕在栅极压焊区的下方，可以利用栅极压焊区的面积，增大PN结二极管的面积提高ESD泄放能力；由于通过调节PN结边缘的形貌和掺杂浓度就可以调节PN结二极管的击穿电压，因此通过在第一掺杂离子重注入区和第二掺杂离子注入区的边缘设置多个尖峰角，就可以调节PN结二极管的击穿电压；且所述PN结二极管的形成是和形成MOSFET器件的工艺步骤同步进行，不额外增加光刻掩膜步骤，不会增加芯片制作成本。

主权项：1.一种集成ESD的SiC功率MOSFET器件，其特征在于，包括碳化硅半导体基底，所述碳化硅半导体基底包括MOSFET元胞区和栅极压焊区，所述碳化硅半导体基底包括碳化硅衬底和位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层；位于所述碳化硅半导体基底另一表面的漏极电极；位于所述MOSFET元胞区的碳化硅外延层表面的栅极结构和覆盖所述栅极结构的栅源极间介质；位于所述栅极结构两侧且位于所述MOSFET元胞区的碳化硅外延层内的第一掺杂离子注入基区；位于所述第一掺杂离子注入基区内的第一掺杂离子重注入体区和第二掺杂离子注入源区，位于所述第一掺杂离子重注入体区和第二掺杂离子注入源区表面的源极电极；位于所述栅极压焊区的碳化硅外延层内的第一掺杂离子注入区和位于所述第一掺杂离子注入区内的第二掺杂离子注入区，所述栅极压焊区的第一掺杂离子注入区和第二掺杂离子注入区构成PN结二极管，所述栅极压焊区的第一掺杂离子注入区与所述MOSFET元胞区的第一掺杂离子重注入体区或第一掺杂离子注入基区同时形成且相连，所述栅极压焊区的第二掺杂离子注入区与所述MOSFET元胞区的第二掺杂离子注入源区同时形成，所述第一掺杂离子注入区和第二掺杂离子注入区的边缘具有多个尖峰角；位于所述栅极压焊区的碳化硅外延层表面的压焊区栅极结构和位于所述压焊区栅极结构表面的栅极电极，所述压焊区栅极结构和栅极结构相连，所述压焊区栅极结构内具有开口暴露出所述第二掺杂离子注入区表面，且所述栅极电极同时覆盖暴露出的第二掺杂离子注入区表面和压焊区栅极结构表面。

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