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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：公开了在高功率应用诸如电动车辆和工业应用中使用的屏蔽栅极半导体器件。这些器件形成为台面106沟槽400结构，其中屏蔽栅极电极形成在这些沟槽中。提出了各种沟槽结构400,500,600,700，这些沟槽结构包括可有益于管理电荷和相关联的电场的分布的锥形部分401和端部突出部502,602,702,802。锥形沟槽400可用于增加和稳定半导体管芯100的终止区104中的击穿电压。
主权项：1.一种装置，所述装置包括：沟槽400，所述沟槽具有在有源区域102中的第一部分和在终止区104中的第二部分，所述沟槽400具有在半导体衬底200内的竖直深度并且具有从所述有源区域102内延伸到所述终止区104中的纵向轴线F-F'；电介质衬里110，所述电介质衬里设置在所述沟槽400中；和导电电极112，所述导电电极设置在所述沟槽400中位于所述电介质衬里110上方，所述导电电极112沿着所述纵向轴线F-F'在所述第一部分内具有均匀形状，并且在所述第二部分内具有锥形形状。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 用于MOSFET的终止结构
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