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申请/专利权人：北京大学

摘要：本申请提供一种基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层，基于激光处理工艺对掩膜层进行曝光处理，在掩膜层形成多个贯穿掩膜层的通孔，并在通孔内填充第一金属；去除掩膜层，对晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，微凸点的直径小于或等于2μm；在微凸点的间隙中形成绝缘层，得到微凸点基板。本申请通过激光处理工艺对掩膜层进行处理，可以在掩膜层上形成直径更小、厚度更大的通孔，基于激光处理工艺形成的通孔可以制备得到具有直径小于2微米的微凸点的基板。

主权项：1.一种基于激光加工的微凸点基板制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成黏附层；在所述黏附层背离所述晶圆基底的一侧形成种子层，所述种子层的材料为第一金属，所述种子层的厚度为0.1μm；在所述种子层背离所述晶圆基底的一侧形成掩膜层，基于激光处理工艺对所述掩膜层进行曝光和显影处理，在所述掩膜层形成多个贯穿所述掩膜层的通孔，并在所述通孔内填充所述第一金属，其中，所述通孔的孔底为所述种子层背离所述晶圆基底一侧的表面；紧接着去除所述掩膜层，对所述晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，所述微凸点的直径小于或等于2μm；在所述微凸点的间隙中形成绝缘层，得到所述微凸点基板；其中，所述基于激光处理工艺对所述掩膜层进行曝光处理，在所述掩膜层形成多个贯穿所述掩膜层的通孔，包括：基于激光直写装置对所述掩膜层进行激光直写工艺的处理，使所述掩膜层得到多次曝光处理，在所述掩膜层形成多个所述通孔；其中，所述去除所述掩膜层，对所述晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，包括：去除所述掩膜层，形成与多个通孔一一对应的多个原始微凸点，所述原始微凸点的厚度大于或等于10μm，且小于或等于50μm；对所述种子层的第一金属、所述原始微凸点的第一金属以及所述黏附层进行刻蚀处理，直至在所述原始微凸点的间隙中暴露所述晶圆基底靠近所述第一金属一侧的表面，得到多个微凸点；其中，在所述微凸点的间隙中形成绝缘层，得到所述微凸点基板，包括：在所述晶圆基底靠近所述微凸点的一侧沉积绝缘层材料，以使所述绝缘层材料填充所述微凸点的间隙，得到所述绝缘层；对所述绝缘层以及所述微凸点背离所述晶圆基底的一侧进行研磨和抛光处理，使所述绝缘层和所述微凸点的厚度相同，得到所述微凸点基板，所述厚度为在所述晶圆基底指向所述掩膜层方向上的尺寸。

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