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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该晶体管包括源极、栅极、台阶P‑GaN区、钝化层、漏极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、缓冲层和衬底。针对目前普通的高电子迁移率晶体管存在的动态导通电阻退化的问题，本发明提出台阶P型GaN结构，其位于栅极下方，各个P型GaN台阶沿栅极到漏极方向呈台阶依次减薄，该结构可以屏蔽器件表面陷阱电荷，改善动态导通电阻退化现象，并且该结构可以调制栅极边缘电场，提升器件耐压。本发明还引入半包围MIS栅结构，将栅极金属与钝化层呈半包围状围绕其下的P‑GaN区，其可以降低导通电阻，增大漏极电流密度以及击穿电压。
主权项：1.一种具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管，其特征在于：该晶体管包括：衬底层9；缓冲层8，该缓冲层8形成于所述衬底层9表面；GaN沟道层7，该GaN沟道层7形成于所述缓冲层8表面；AlGaN势垒层6，该AlGaN势垒层6形成于所述GaN沟道层7表面；台阶P-GaN区3，该台阶P-GaN区3形成于所述AlGaN势垒层6表面；钝化层4，该钝化层4形成于所述AlGaN势垒层6表面，且覆盖所述台阶P-GaN区3；金属栅极2，该金属栅极2形成于所述钝化层4表面，且包围了所述台阶P-GaN区3所对应的区域；金属源极1，该金属源极1形成于所述AlGaN势垒层6表面的一侧；以及金属漏极5，该金属漏极5形成于所述AlGaN势垒层6表面与所述金属源极1相对的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法
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