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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种不等比例L型U型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区1和第二轻掺杂区2；所述第一轻掺杂区1的L型PN结与第二轻掺杂区2的U型PN结在第一轻掺杂区1和第二轻掺杂区2的交界面形成一个三维PN结。本发明通过构造L型PN结‑U型PN结的不等比例三维掺杂结构，实现了高效调制的硅基耗尽型调制器；这种调制器在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输，具有良好的市场应用前景。
主权项：1.一种不等比例L型U型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，其特征在于：所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区1和第二轻掺杂区2；所述第一轻掺杂区1的L型PN结与第二轻掺杂区2的U型PN结在第一轻掺杂区1和第二轻掺杂区2的交界面形成一个三维PN结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种不等比例L型U型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法
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