龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本实用新型提供一种具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件包括：衬底、外延层、栅极、辅助耗尽区、电流阻挡层及掺杂接触层；外延层、电流阻挡层和掺杂接触层依次叠加设于衬底上；外延层、电流阻挡层和掺杂接触层的中部设有凹槽，辅助耗尽区设于凹槽的底部、且位于外延层的上表面；栅极设于凹槽的内壁侧和辅助耗尽区的上侧。该具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件通过在栅结构下方引入辅助耗尽区，利用辅助耗尽区与漏极电压在N型轻掺杂漂移形成的扩展耗尽区作为耐压结构耐受器件关态电压，通过这种方式，将原本降落在电流阻挡层中的电压转移在耗尽区中，改善了器件击穿电压。
主权项：1.一种具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件，其特征在于，包括：衬底、外延层、栅极、辅助耗尽区、电流阻挡层及掺杂接触层；所述外延层、所述电流阻挡层和所述掺杂接触层依次叠加设于所述衬底上；所述外延层、所述电流阻挡层和所述掺杂接触层的中部设有凹槽，所述辅助耗尽区设于所述凹槽的底部、且位于所述外延层的上表面；所述栅极设于所述凹槽的内壁侧和所述辅助耗尽区的上侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号