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申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
摘要：本发明提供了一种常开耗尽型开关器件的驱动电路，涉及开关器件的驱动电路领域，包括：耗尽型GaN器件的栅极分别与开通电阻的一端以及关断电阻的一端相连接；耗尽型GaN器件的源极与驱动供电电压VCC相连接；开通电阻的另一端与NPN型三极管的发射极相连接；NPN型三极管的集电极与驱动供电电压VCC相连接；关断电阻的另一端与PNP型三极管的发射极相连接；PNP型三极管的集电极与驱动供电电压VCC的地连接；PNP型三极管的基极以及NPN型三极管的基极均连接信号脉冲；耗尽型GaN器件的开通或关断由信号脉冲进行驱动控制。本发明能够避免级联中低压SiMOSFET器件存在带来的开关速度变慢，带来的反向恢复问题以及级联GaN产品应用场景受限等问题。
主权项：1.一种常开耗尽型开关器件的驱动电路，其特征在于，包括：耗尽型GaN器件、PNP型三极管、NPN型三极管、开通电阻以及关断电阻；所述耗尽型GaN器件的栅极分别与所述开通电阻的一端以及所述关断电阻的一端相连接；所述耗尽型GaN器件的源极与驱动供电电压VCC相连接；所述关断电阻的另一端与所述PNP型三极管的发射极相连接；所述PNP型三极管的集电极与所述驱动供电电压VCC的地相连接；所述开通电阻的另一端与所述NPN型三极管的发射极相连接；所述NPN型三极管的集电极与所述驱动供电电压VCC相连接；所述PNP型三极管的基极以及所述NPN型三极管的基极均连接信号脉冲；所述耗尽型GaN器件的开通或关断由所述信号脉冲进行驱动控制；所述信号脉冲为PWM驱动信号；当所述PWM驱动信号为高电平时，所述NPN型三极管开通，所述驱动供电电压VCC通过所述开通电阻加到所述耗尽型GaN器件的栅极，耗尽型GaN器件栅极电荷通过开通的所述的NPN型三极管泄放掉，所述耗尽型GaN器件开通；当所述PWM驱动信号为低电压时，所述NPN型三极管关断，所述PNP型三极管开通，所述驱动供电电压VCC通过所述开通的PNP型三极管给所述耗尽型GaN器件的栅极充电，栅源电压为-VCC，所述耗尽型GaN器件关断；VCC为驱动供电电压。
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权利要求：
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