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申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
摘要：本发明公开一种半桥常开耗尽型开关器件的直驱电路，涉及电子技术领域，该直驱电路包括：驱动电路与半桥功率桥臂连接；第一耗尽型开关器件的源极与第二耗尽型开关器件的漏极连接，第二耗尽型开关器件的源极与N型MOSFET器件的漏极连接，第二耗尽型开关器件的栅极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与N型MOSFET器件的源极连接；或者，第一耗尽型开关器件的源极与N型MOSFET器件的漏极连接，N型MOSFET器件的源极与第二耗尽型开关器件的漏极连接，第一耗尽型开关器件的栅极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与N型MOSFET器件的源极连接。本发明能够提高驱动电路的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种半桥常开耗尽型开关器件的直驱电路，其特征在于，所述直驱电路包括：驱动电路和半桥功率桥臂；所述驱动电路与所述半桥功率桥臂连接；所述驱动电路用于驱动所述半桥功率桥臂工作；所述半桥功率桥臂包括第一耗尽型开关器件、第二耗尽型开关器件、N型MOSFET器件和第一二极管；所述第一耗尽型开关器件的源极与所述第二耗尽型开关器件的漏极连接，所述第二耗尽型开关器件的源极与所述N型MOSFET器件的漏极连接，所述第二耗尽型开关器件的栅极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述N型MOSFET器件的源极连接；或者，所述第一耗尽型开关器件的源极与所述N型MOSFET器件的漏极连接，所述N型MOSFET器件的源极与所述第二耗尽型开关器件的漏极连接，所述第一耗尽型开关器件的栅极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述N型MOSFET器件的源极连接；所述第一耗尽型开关器件、所述第二耗尽型开关器件和所述N型MOSFET器件的栅极均与所述驱动电路连接。
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权利要求：
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