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申请/专利权人：南京航空航天大学
摘要：本发明提出了一种低本底中子响应的GEM镀膜制造流程及工艺，近年来GEM探测凭借制造简单、高增益、优秀的能量分辨率以及便宜的价格等优势迅速发展，应用在越来越多的场景下，中子探测就是其中一个热门的方向。而在中子探测的过程中，GEM膜中的Kapton聚酰亚胺因为其与中子反应会产生一些不想得到的粒子，进而影响探测的准确性和增益，因此需要一种低本底中子响应的膜来代替传统的Kapton膜。针对这一需求，本专利提出了利用Ceramic陶瓷来代替Kapton，大大降低了本底中子响应，为以后的GEM探测器在中子探测方向提供了新的思路。
主权项：1.一种低本底中子响应的GEM镀膜制造流程及工艺，其特征在于，包括：膜本身引入的中子反应很低，对于中子探测的增益与稳定性都大有裨益，Ceramic基材几乎不含有与中子散射截面最高的H元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学 一种低本底中子响应的GEM镀膜制造流程及工艺
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