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申请/专利权人：盛合晶微半导体(江阴)有限公司
摘要：本发明提供一种晶圆级封装结构及封装方法，封装方法包括：提供待封装晶圆；制备导电柱；于待封装晶圆中制备凹槽结构；形成封装层，延伸至凹槽结构中；制备引出焊垫；显露形成于凹槽结构中的封装层；自凹槽结构对应的位置进行切割。本发明采用基于凹槽结构切割晶圆的晶圆级封装方法，在扇出型晶圆级封装中，有利于保护芯片，防止晶圆破裂，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，采用表贴层还实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性，采用基于平坦化辅助层及金属连接层制备的引出焊垫进行待封装芯片的电性引出，可以提高引出的电学性能及连接稳定性，提高封装结构的整体性能。
主权项：1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括如下步骤：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆具有相对的第一表面及第二表面；于所述第一表面制备导电柱，所述导电柱与所述待封装晶圆电连接；于所述待封装晶圆中制备凹槽结构，所述凹槽结构自所述第一表面延伸至所述待封装晶圆内部，以将所述待封装晶圆分成若干个待封装芯片；于所述第一表面上形成包围所述导电柱并显露所述导电柱顶部的封装层，且所述封装层延伸至所述凹槽结构中；于所述封装层上制备重新布线层，制备所述重新布线层的步骤包括：于所述封装层的上表面形成介质层及金属叠层结构，所述金属叠层结构与所述导电柱电连接，所述金属叠层结构位于所述介质层内，所述金属叠层结构包括若干层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接；于所述重新布线层上制备引出焊垫，所述引出焊垫通过所述重新布线层与所述导电柱电连接,所述引出焊垫包括平坦化辅助层以及位于所述平坦化辅助层上的金属连接层，其中，所述平坦化辅助层基于溅射工艺制备，所述金属连接层基于电镀工艺制备，所述平坦化辅助层的厚度小于0.3μm；对所述待封装晶圆的第二表面进行减薄以显露形成于所述凹槽结构中的所述封装层；自所述凹槽结构对应的位置对所述待封装晶圆进行切割，以得到封装结构。
全文数据：
权利要求：
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