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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种具有伊辛自旋层的半导体激光元件。该半导体激光元件由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述上波导层和电子阻挡层之间以及下波导层和下限制层之间均具有伊辛自旋层；该半导体激光元件通过设置伊辛自旋层利用一维量子自旋链和简并的频率转换获得伊辛二值自旋形成相干光振荡，结合波分复用和光延时线形成伊辛二值自旋耦合，调控激光光子自旋的任意耦合，提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性，同时，伊辛自旋层可调整激光相位和幅度状态，使激光在光波导中以最小能量损耗进行振荡，降低激光阈值电压。
主权项：1.一种具有伊辛自旋层的半导体激光元件，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，其特征在于，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述上波导层和电子阻挡层之间以及下波导层和下限制层之间均具有伊辛自旋层。
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权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有伊辛自旋层的半导体激光元件
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