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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2021-08-13
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN115705854B
主分类号：G11C5/06
分类号：G11C5/06;G11C8/08;G11C8/14;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/02;H01L23/528
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.03.07#实质审查的生效;2023.02.17#公开
摘要：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种字线驱动器阵列及存储器，字线驱动器阵列至少包括：依次排列的第一晶体管、第三晶体管、第零晶体管和第二晶体管，相互平行的第零字线、第一字线、第二字线以及第三字线，所述第零字线与所述第零晶体管的漏极连接，所述第一字线与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二字线与所述第二晶体管的漏极连接，所述第三字线与所述第三晶体管的漏极连接。本申请实施例有利于提升字线驱动器阵列的电学性能。
主权项：1.一种字线驱动器阵列，其特征在于，包括：在第一方向上依次排列的第一晶体管、第三晶体管、第零晶体管和第二晶体管，在第二方向上相互平行且依次排列的第零字线、第一字线、第二字线以及第三字线，所述第零字线与所述第零晶体管的漏极连接，所述第一字线与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二字线与所述第二晶体管的漏极连接，所述第三字线与所述第三晶体管的漏极连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 字线驱动器阵列及存储器
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