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申请/专利权人：西安智多晶微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种DDRPHY中数据字对齐方法，包括生成每个字节通道的标志数据有效的VALID信号；将所有字节通道对应的VALID信号作与操作产生VALID_AND信号，以及作或操作产生VALID_OR信号；根据VALID信号、VALID_AND信号和VALID_OR信号的不同情况，将字节通道传输的数据作对齐处理。本发明通过简单逻辑解决了DDR布线时，不同字节通道之间的走线的延时差异，导致的数据采样不对齐的错误风险，有效的提高了系统稳定性。同时本发明为DDR布线提供了更大的布线长度裕量，使得不同DQS的字节通道之间最大延时差异1个时钟，方便硬件工程师很容易实现PCB布线。
主权项：1.一种DDRPHY中数据字对齐方法，其特征在于，包括：S100，针对DIMM中的每个DRAM对应的字节通道，生成一个标志数据有效的VALID信号；S200，将所有字节通道对应的VALID信号作与操作产生VALID_AND信号；S300，对所有字节通道对应的VALID信号作或操作产生VALID_OR信号；S400，根据每个字节通道对应的VALID信号、VALID_AND信号和VALID_OR信号的不同情况，将字节通道传输的数据作对齐处理以使所有字节通道传输的数据对齐；S100包括：S110，获取DDR控制器发送至DIMM的时钟信号PHY_CLK以及每个DRAM读返回的DQSI信号；S120，以每4个上升沿为一个周期对所述DQSI信号的上升沿计数，产生计数信号DQSI_CNT；S130，对所述计数信号DQSI_CNT计数产生计数信号CLK_CNT；S140，将所述计数信号DQSI_CNT与所述计数信号CLK_CNT作比较，产生标志数据有效的VALID信号；S140包括：S141，将所述计数信号DQSI_CNT与所述计数信号CLK_CNT作比较，如果所述计数信号DQSI_CNT与所述计数信号CLK_CNT相同，则产生高电平信号；如果所述计数信号DQSI_CNT与计数信号CLK_CNT不相同，则产生低电平信号；S142，将所述高电平信号和所述低电平信号按照时序组成标志数据有效的VALID信号。
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权利要求：
百度查询： 西安智多晶微电子有限公司 一种DDR PHY中数据字对齐方法
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