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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日：2021-11-18
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN114186451B
主分类号：G06F30/23
分类号：G06F30/23;G01R33/09;G01R33/035
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2022.04.01#实质审查的生效;2022.03.15#公开
摘要：本发明公开了一种多量程多灵敏度的超导TMR复合磁传感器及其仿真方法，本发明多量程多灵敏度的超导TMR复合磁传感器通过多个窄区可具有多种量程以及多种灵敏度，可适用于多种弱磁传感应用场景，可减少弱磁传感器的体积、有效提升弱磁传感器的小型化。本发明多量程多灵敏度的超导TMR复合磁传感器及其仿真方法采用超导E‑J幂次定律进行有限元仿真，可实现对包含多个窄区的超导TMR复合磁传感器的仿真，可用于前述多量程多灵敏度的超导TMR复合磁传感器的设计以及验证。
主权项：1.一种多量程多灵敏度的超导TMR复合磁传感器，包括超导环（1）和磁电阻传感器，其特征在于，所述超导环上设有多个窄区，所述超导环（1）在每一个窄区的一侧对应布置有一个磁电阻传感器，且所述多个窄区中各个窄区之间的宽度不同，使得超导TMR复合磁传感器具有多种量程和多种灵敏度；所述超导环（1）为基于超导薄膜制备得到方形环状薄膜；所述超导环上的至少两个窄区为由设于超导环中部的内孔（11）分隔形成的内侧窄区（12）和外侧窄区（13），所述内孔（11）相对超导环的中部偏心布置，使得所述内孔（11）分隔形成的内侧窄区（12）和外侧窄区（13）两者的宽度不同；所述超导环（1）和磁电阻传感器为双层结构，所有窄区的对应的磁电阻传感器布置于超导环（1）的同一侧；所述超导环上设有的窄区数量为四个，四个窄区为由设于超导环中部的两个内孔（11）分隔形成的内侧窄区（12）和外侧窄区（13），共包含两个内侧窄区（12）和两个外侧窄区（13）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 多量程多灵敏度的超导/TMR复合磁传感器及其仿真方法
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